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- 2023-07-19 发布于四川
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本发明提供一种环形映射缺陷的改善方法，提供刻蚀机台，刻蚀机台中的刻蚀腔中设有阳极板、阴极板，阳极板远离阴极板的一侧设置有射频线圈，射频线圈与第一射频发生器连接，阴极板与第二射频发生器连接，第一、二射频发生器分别用于调节等离子的密度和方向；在刻蚀机台的第一复机菜单中增加第二复机菜单，第一复机菜单为根据所需半导体器件预设的菜单，第二复机菜单包括：在刻蚀腔中通入第一刻蚀气体，调节刻蚀腔的压力、第一、二射频发生器的功率，利用第一刻蚀气体电离使得阳极板的表面致密化；执行第一、二复机菜单中的步骤。本发明使得
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116453949 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202310450483.4
(22)申请日 2023.04.25
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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