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- 2023-07-19 发布于四川
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本发明提供一种增加多晶硅栅横向切割工艺窗口的方法，提供衬底，在衬底上形成有栅氧化层以及位于栅氧化层上的伪栅多晶硅层，伪栅多晶硅层的侧壁上依次形成有第一、二侧墙，第一侧墙相对栅氧化层的刻蚀选择比符合目标值；在伪栅多晶层及其两侧的第一、二侧墙上形成沟槽；在沟槽中形成隔离层，之后研磨伪栅多晶硅上的隔离层至伪栅多晶硅层上方；去除伪栅多晶硅层，使得其下方的栅氧化层裸露，之后利用刻蚀去除裸露的栅极氧化层，使得对第一侧墙或第一、二侧墙的刻蚀量减少；在剩余的沟槽中形成金属栅。本发明的第一侧墙刻蚀速率相对较低，刻
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116453939 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202310450532.4
(22)申请日 2023.04.24
(71)申请人 上海华力集成电路制造有限公司
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