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一种大功率MOS管封装结构，其特征在于，包括安装座，所述安装座设在电路板上，所述安装座上设有安装盖板，所述安装座内设有定位块和伸缩杆，所述伸缩杆顶部连接固定压板，所述定位块处设有MOS管；所述安装盖板上设有第一散热板，所述安装盖板的端部设有固定机构和限位块，所述固定机构设有第二滑杆，所述第二滑杆上设有滑块和第二弹簧，所述滑块上穿有第一滑杆，所述第一滑杆与所述第二滑杆相互垂直，所述第一滑杆的端部套接有卡块，所述第一滑杆上设有第一弹簧，所述第一弹簧设在所述滑块与所述卡块之间。本实用新型通过安装座内定
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214279955 U
(45)授权公告日 2021.09.24
(21)申请号 202023124225.8
(22)申请日 2020.12.22
(73)专利权人 常州星海电子股份有限公司
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