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- 2023-07-19 发布于四川
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本发明属于半导体元器件技术领域,具体涉及一种GaN基HEMT器件的外延结构,包括硅衬底以及依次从硅衬底表面生长的AlN层、AlGaN位错复合调控层、高阻GaN外延层、GaN沟道层、AlGaN势垒层以及GaN帽层;所述AlGaN位错复合调控层包括依次叠加的AlxGa1‑xN单晶层、AlyGa1‑yN单晶层、AlzGa1‑zN单晶层和AlvGa1‑vN单晶层。通过优化的AlGaN位错复合调控层包含具有Ga空位的外延功能层,通过在外延生长中引入大量Ga空位,使得位错发生弯曲而湮没,从而提高晶体质量,减
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116454130 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202310451119.X
(22)申请日 2023.04.25
(71)申请人 江苏芯港半导体有限公司
地址 2
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