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用于从生长溶液制造晶体转换层的装置(10)，其包括第一壁(11)和基底(14)，在它们之间限定了晶体生长腔(13)；溶液的入口/出口装置(12)，其用于随时间至少控制向晶体生长腔(13)供应生长溶液或从晶体生长腔(13)抽取生长溶液；加热装置(15)，其在晶体生长腔(13)、基底(14)或第一壁(11)中形成温度分布(15b)；温度分布(15b)，其控制在主要横向于所述形成面(14a)的方向上自由形成厚度大于1微米的晶体转换层；晶体转换层的全部厚度由晶体转换层的自由形成获得。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116457508 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202180077044.2 阿兰 ·伊巴涅斯 朱利安 ·扎卡罗
(22)申请日 2021.09.
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