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本公开包含半导体器件，该半导体器件包括：基板，该基板包含器件表面；以及图案化金属电极，该图案化金属电极设置在该基板上。该图案化金属电极由铜、金及银中之一者或多者形成。该图案化金属电极包括靠近该基板的下表面、上表面及在该下表面与该上表面之间延伸的侧壁，侧壁阻障层在该侧壁上延伸。该侧壁阻障层可以是氧化锰阻障层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116457948 A
(43)申请公布日 2023.07.18
(21)申请号 202180077444.3 (74)专利代理机构 上海专利商标事务所有限公
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