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一种新型的槽栅型MOS器件.pdfVIP

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  • 2023-07-21 发布于四川
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一种新型的槽栅型MOS器件.pdf

    本实用新型公开了一种新型的槽栅型MOS器件，包括：N型衬底，N型轻掺杂缓冲区，P型阱区，P型重掺杂源极区，N型轻掺杂区，P型掺杂区，N型重掺杂源极区，绝缘层，栅极多晶硅区，栅极电极，源极电极和漏极电极；N型衬底的下面做漏极电极，N型衬底上有N型轻掺杂缓冲区，N型轻掺杂缓冲区上有P型阱区和N型轻掺杂区，N型轻掺杂区在P型阱区之间，N型轻掺杂区上有P型掺杂区，P型掺杂区上有N型重掺杂源极区，N型重掺杂源极区中间有槽型栅结构区，槽型栅结构区贯穿N型重掺杂源极区和P型掺杂区，并延伸到N型轻掺杂区，P型阱

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214279987 U (45)授权公告日 2021.09.24 (21)申请号 202120653161.6 H01L 29/423 (2006.01) (22)申请日

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