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本实用新型系提供一种大电流场效应晶体管，包括绝缘封装体，绝缘封装体内设有场效应管芯片，场效应管芯片的漏极焊接于D极导电脚上，D极导电脚的相对两侧分别设有S极导电脚和G极导电脚；S极导电脚通过S极导电桥片与场效应管芯片的源极连接，S极导电脚上固定有S极定位柱，S极导电桥片中设有S极定位孔；G极导电脚通过G极导电桥片与场效应管芯片的栅极连接，G极导电脚上固定有G极定位柱，G极导电桥片中设有G极定位孔。本实用新型不仅能够显著提高场效应管芯片的散热性能，还能够显著提高导电脚与场效应管芯片之间的导电性能，
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214313181 U
(45)授权公告日 2021.09.28
(21)申请号 202023119587.8
(22)申请日 2020.12.22
(73)专利权人 先之科半导体科技（东莞）有限公
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