一种超高纯镉的制备方法.pdfVIP

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本发明涉及高纯金属材料领域,具体是一种超高纯镉的制备方法。本发明提供的超高纯镉的制备方法,包括:S1)将清洗后的石墨模具进行真空加热,得到预处理的石墨模具;S2)在氢气氛围下,将镉锭在步骤S1)所得的石墨模具中进行加热,得到镉物料;S3)对步骤S2)所得的镉物料进行定向冷凝,得到超高纯镉。实验表明,采用本发明所述方法制得的超高纯镉块,表面光亮、无氧化、无缺陷,对其进行真空熔融后表面也无氧化和无异物,其内部氧含量小于100ppbw,硫含量小于2ppbw,磷含量小于1ppbw,能够满足合成CZT和M

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116463507 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202310454409.X (22)申请日 2023.04.25 (71)申请人 广东先导微电子科技有限公司 地址

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