半导体结构及其制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-22 发布于四川
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本公开实施例涉及半导体领域,提供一种半导体结构及其制造方法,半导体结构包括:具有第一面的第一基底,第一基底内具有导电柱,第一面具有第一凹槽,第一凹槽露出导电柱的顶面和部分侧壁;具有第二面的第二基底,第一面和第二面相键合,第二面具有第二凹槽,第二基底内具有电连接柱,且电连接柱位于第二凹槽中,电连接柱凸出于第二面;电连接结构,电连接结构和部分电连接柱嵌入第一凹槽中,电连接结构至少环绕导电柱中被第一凹槽露出的部分和电连接柱嵌入第一凹槽中的部分。本公开实施例至少有利于在提高电连接柱和导电柱之间的连接稳定

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116469859 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202210033878.X (22)申请日 2022.01.12 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

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