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本发明揭示了MOSFET结温估算方法及系统，其中MOSFET结温估算方法包括如下步骤：S1，获取MOSFET附近的NTC热敏电阻测得的温度Tntc；S2，根据所述温度Tntc确定温度补偿值Offset；S3，根据获取的相电流计算结温增加的温度值△Tj；S4，根据获取的温度Tntc、温度补偿值Offset及结温增加的温度值△Tj计算得到所述MOSFST的结温Tj。本发明的估算方法无需采用功率损耗来计算结温，而是采用相电流作为模型的输入，并且通过温度补偿值来进行温度补偿，相对于功率损耗作为输入，本方
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116466205 A
(43)申请公布日 2023.07.21
(21)申请号 202310330538.8
(22)申请日 2023.03.30
(71)申请人 耐世特汽车系统 （苏州）有限公司
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