一种静压补偿硅谐振微差压传感器及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-22 发布于四川
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一种静压补偿硅谐振微差压传感器及其制备方法.pdf

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本发明提供一种静压补偿硅谐振微差压传感器及其制备方法，传感器包括复合膜片，复合膜片包括由上至下依次设置的封装层、谐振器层、压力敏感膜层，谐振器层包括压敏电阻和两个谐振器，两个谐振器分别位于敏感膜层的中间区域和边缘区域；压敏电阻位于压力敏感膜层边缘且压敏电阻与封装层相接，压敏电阻用于检测静压大小。本发明为实现差压测量，通过压力膜片、谐振器层、封装层共同组成埋层谐振器复合膜片，两面的压力差使得膜片变形，并将应力传递给埋在膜片内部的谐振器，从而转化为谐振器频率变化。通过硬件或者软件补偿静压引起的谐振器

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116465541 A (43)申请公布日 2023.07.21 (21)申请号 202310456021.3 (22)申请日 2023.04.25 (71)申请人中国科学院空天信息创新研究院地址