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本实用新型提供一种大功率半导体集成变频装置，涉及电子电力领域，包括：一铜底板，铜底板上集成有一第一陶瓷覆铜板和一第二陶瓷覆铜板；第二陶瓷覆铜板设置在第一陶瓷覆铜板右侧；第一陶瓷覆铜板上集成有多个大电流整流芯片；第一陶瓷覆铜板边缘和第二陶瓷覆铜板边缘均采用切角结构。本技术方案对装置内部陶瓷覆铜板的结构进行调整，由原先的三块陶瓷覆铜板改成两块，并对两块陶瓷覆铜板的边缘进行切角，最大程度扩大陶瓷覆铜板外部尺寸，实现了在陶瓷覆铜板上集成焊接大电流整流芯片，进而实现封装大功率半导体集成变频装置。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214313207 U
(45)授权公告日 2021.09.28
(21)申请号 202023269070.7
(22)申请日 2020.12.29
(73)专利权人 杭州泰昕微电子有限公司
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