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- 2023-07-24 发布于四川
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本实用新型提出一种用于5G和高速应用的低容TVS及制造方法,该TVS包括:衬底层,该衬底层为P型;P阱区域,该P阱区域形成于衬底层上;N阱区域,该N阱区域形成于衬底层上;N+区域,该N+区域形成于P阱区域及N阱区域中;P+区域,该P+区域形成于P阱区域及N阱区域中;第一绝缘介质层,该第一绝缘介质层形成于衬底层表面;接触孔,该接触孔开设于第一绝缘介质层中,并位于N+区域及P+区域;第一层金属,该一层金属形成于第一绝缘介质层上;第二绝缘介质层,该第二绝缘介质层形成于第一层金属上;通孔,该通孔开设于第
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214313216 U
(45)授权公告日 2021.09.28
(21)申请号 202120615149.6
(22)申请日 2021.03.26
(73)专利权人 傲威半导体无锡有限公司
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