1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

一种基于SOI材料的超低电容TVS器件.pdfVIP

  • 2
  • 0
  • 约7.41千字
  • 约 7页
  • 2023-07-24 发布于四川
  • 举报

一种基于SOI材料的超低电容TVS器件.pdf

    本实用新型提出一种基于SOI材料的超低电容TVS器件，该TVS器件包括：衬底层，该衬底层采用SOI硅片制作；N阱/P阱/N+/P+区域，该N阱/P阱/N+/P+区域形成于衬底层上，由N阱/P阱/N+/P+区域构成TVS管；N+/P+区域，该N+/P+区域形成于衬底层上，由N+/P+区域构成开关管；表面浅槽，该表面浅槽形成于N+/P+区域，并环绕于N+与P+之间，其结深浅于N+/P+区域的结深；浅槽填充层，该浅槽填充层采用氧化层形成于表面浅槽内；表面深槽，该表面深槽形成于衬底层上，并将N阱/P阱/

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214313217 U (45)授权公告日 2021.09.28 (21)申请号 202120615226.8 (22)申请日 2021.03.26 (73)专利权人 傲威半导体无锡有限公司

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >