氮化镓功率器件_模块封装技术研究进展.pdfVIP

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2023-07-29 发布于新疆
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氮化镓功率器件_模块封装技术研究进展.pdf

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第 43 卷第 13 期中国电机工程学报 Vol.43 No.13 Jul. 5, 2023 5116 2023 年 7 月 5 日 Proceedings of the CSEE ©2023 Chin.Soc.for Elec.Eng. DOI ：10.13334/j.0258-8013.pcsee.220032 文章编号：0258-8013 (2023) 13-5116-16 中图分类号：TN 305.94 文献标识码：A 氮化镓功率器件/模块封装技术研究进展 1 2* 刘斯奇，梅云辉 (1．天津大学材料科学与工程学院，天津市南开区 300350 ； 2．天津工业大学电气工程学院，天津市西青区 300387) Research Progress of GaN Power Device/Module Packaging Technology 1 2* LIU Siqi , MEI Yunhui (1. School of Materials Science and Engineering, Tianjin University, Nankai District, Tianjin 300350, China; 2. School of Electrical Engineering, Tiangong University, Xiqing District, Tianjin 300387, China) ABSTRACT: GaN offers the benefits of high-temperature 0 引言 resistance, high breakdown voltage, and high electron 近年来，随着电动汽车、高铁和航空航天领域 migration rate as a popular wide bandgap semiconductor material. Packaging technology is critical to make use of these 不断发展，对功率器件/模块在高频、高温和高压下 benefits fully and for device to be operated reliably. Firstly, the 工作的需求不断增加。传统 Si 基功率器件/模块已 similarities and differences of Si-based, SiC-based, and 达到其自身材料性能极限[1]，氮化镓(GaN)作为第三 GaN-based devices/modules are compared and discussed. The 代宽禁带半导体材料，具有高耐温、高耐压及高开 difficulties and solutions are then addressed from the 关速率的优点，逐渐成为研究热点。图 1 为三代半 perspectives of package stray inductance, heat dissipation design, and interconne