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半导体栅极电控量子点.pdfVIP

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  • 2023-07-26 发布于四川
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半导体栅极电控量子点.pdf

    一种半导体栅极电控量子点，包括：衬底(101)；二氧化硅层(102)，其形成在衬底(101)上，二氧化硅层(102)上形成有离子注入区域(200)及量子点大电极(400)，离子注入区域(200)制备有欧姆接触电极(300)，二氧化硅层(102)上制备有量子点小电极(500)，其中，量子点大电极(400)与量子点小电极(500)相连；绝缘层(600)，其形成在二氧化硅层(102)上，只覆盖量子点区域，其中，量子点区域包括量子点小电极(500)、量子点大电极(400)的内部区域和离子注入区域(200

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209896068 U (45)授权公告日 2020.01.03 (21)申请号 20192

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