一种SiC MOSFET器件.pdfVIP

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2023-07-26 发布于四川
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一种SiC MOSFET器件.pdf

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本申请公开了一种SiCMOSFET器件，通过在外延层背离衬底的表面设置沟槽，且沟槽内设置栅极和位于栅极靠近漏极一侧的屏蔽栅，从而在栅极和漏极之间引入屏蔽栅，减小栅极和漏极之间的交叠面积，进而减小栅漏电容。并且，设置屏蔽栅包括沿垂直于沟槽底部的方向层叠的至少两层掺杂层，且相邻两层掺杂层的掺杂类型相反，屏蔽栅中最靠近沟槽底部的一层掺杂层或最远离沟槽底部的一层掺杂层与源极电连接，使得屏蔽栅中相邻两层掺杂层形成PN结，而PN结的结电容的引入，使得屏蔽栅与漏极之间的电容有了降低的空间，因此，本申请所提供

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116487440 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202310511148.0 (22)申请日 2023.05.08 (71)申请人中国科学院微电子研究所地址 1