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本发明提供了一种双端面可调谐激光器及其制备方法。本发明提出的双端面可调谐激光器，包括：位于InP衬底上的一个光栅区、两个相位区及两个增益区，光栅区位于InP衬底中段，两个相位区位于光栅区两侧，两个增益区分别位于两个相位区外侧，其中，增益区自下而上依次包括下波导层、多量子阱层、上波导层，多量子阱层包括相互交叠的阱层和垒层，阱层为压应变阱层，垒层为张应变垒层；光栅区及相位区由InGaAsP或InGaAlAs构成，光栅区包括光栅结构；光栅区、相位区、增益区高度相同。本发明通过背靠背的形式，把两个波长可
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116488001 A
(43)申请公布日 2023.07.25
(21)申请号 202210051661.1
(22)申请日 2022.01.17
(71)申请人 中国科学院半导体
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