形成导电互连结构的方法.pdfVIP

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2023-07-26 发布于四川
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形成导电互连结构的方法.pdf

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本发明实施例公开一种形成导电互连结构的方法，包括：在导电层上形成预定掩膜图案；对第一掩膜图案进行掺杂，以在所述第一掩膜图案中形成预定深度的掺杂区域，其中，所述第一掩膜图案为已掺杂的所述预定掩膜图案，第二掩膜图案为未掺杂的所述预定掩膜图案；其中，所述掺杂区域的刻蚀速率大于未掺杂区域的刻蚀速率；利用所述第一掩膜图案和所述第二掩膜图案对所述导电层进行刻蚀，以形成导电互连结构；其中，对应于所述第二掩膜图案的区域的导电线的高度较高，形成为导电通路。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116487322 A (43)申请公布日 2023.07.25 (21)申请号 202310458065.X (22)申请日 2023.04.25 (71)申请人北京北方华创微电子装备有限公司地