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本发明涉及蚀刻方法及蚀刻装置。本发明的课题是提供能够提高异种氧化膜间的蚀刻选择比的技术。本发明的蚀刻方法具备吸附工序和蚀刻工序。在吸附工序中，将包含BCl3气体的处理气体和H2气供给至配置有作为蚀刻对象的被处理体的处理空间，在停止H2气的供给的同时，对处理空间施加规定频率的电力，从而在处理空间产生等离子体，使被处理体吸附基于处理气体的吸附物。在蚀刻工序中，在处理空间产生惰性气体的等离子体而将吸附物活化，从而对被处理体进行蚀刻。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110473782 A
(43)申请公布日
2019.11.19
(21)申请号 20191
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