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本发明专利公开了一种多合体功率放大器芯片集成宽带缝隙天线，包括金属地板，介质基板，辐射缝隙、功分结构微带馈线，氧化钼铜结构件和开槽的芯片外围电路PCB板。所述介质基板厚度为0.127mm，使用极薄基板以减小金线键合长度，以实现降低整体电路损耗的降低。所述微带馈线在辐射缝隙处采用功分结构，以激发额外的谐振模式并对其进行合理排布叠加，以实现过薄基板带来的天线阻抗带宽过窄的问题的解决。所述天线与芯片外围电路设计在同一块PCB板上。所述外围电路PCB板通过矩形开槽承托多合体功率放大器芯片,利用金丝将芯片
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116505230 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310598422.2 H01Q 25/04 (2006.01)
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