半导体结构及其形成方法.pdfVIP

下载本文档

3
0
约2.4万字
约 22页
2023-07-29 发布于四川
举报
版权申诉

半导体结构及其形成方法.pdf

1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次，网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档

一种半导体结构及其形成方法，形成方法包括：形成至少一个金属栅极结构、位于金属栅极结构两侧鳍部中的源漏掺杂层以及位于金属栅极结构之间且覆盖源漏掺杂层的介质层，金属栅极结构横跨多个鳍部；金属栅极结构和介质层上形成露出第一区域和第二区域交界处的掩膜层；以掩膜层为掩膜，进行多次沉积刻蚀步骤，形成贯穿金属栅极结构的开口，沉积刻蚀步骤包括：沉积工艺，沉积工艺在第一区域和第二区域交界处介质层表面沉积保护层；形成保护层后进行刻蚀工艺，刻蚀工艺刻蚀第一区域和第二区域交界处的金属栅极结构。多次沉积刻蚀步骤的过程中介

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 111508896 A (43)申请公布日 2020.08.07 (21)申请号 20191