上海交通大学材料科学基础第二章.docxVIP

上海交通大学材料科学基础第二章 第二章：材料晶体结构与晶体缺陷参考内容：1. 晶体结构的定义和基本概念：晶体结构是指晶体内部原子、离子或分子所排列的有序、排列有规律的结构。晶体结构的组成方式有晶体基本构图、晶体晶胞和晶格等。2. 晶体结构的分类和描述方法：晶体结构可以根据其单胞内原子的排列方式进行分类，常见的晶体结构包括简单立方晶体、体心立方晶体和面心立方晶体等。利用晶体结构学可以通过描述晶体单胞内原子的位置和相互排列方式，揭示晶体材料的特殊性质和行为。3. 晶体的晶格：晶体的晶格是指晶体内部原子、离子或分子规则排列的有序结构。晶格具有无限扩展性，可以通过平移操作来描述晶格的特征和性质。晶格常常使用布拉维格子来描述，布拉维格子的点是反映晶体内部原子排列的理想化参照点。4. 晶体缺陷的类型：晶体缺陷是指晶体内部原子、离子或分子规则排列中的缺陷或错位。晶体缺陷的类型包括点缺陷（空位、插入体、替代体等）、线性缺陷（位错、螺旋线、堆垛层错等）和表面缺陷（阶梯、孪生等）等。5. 晶体缺陷的形成机制和影响：晶体缺陷的形成机制包括外部作用（温度、压力等）、内部作用（离子辐照、固溶体形成等）和自由能降低原则等，不同机制对晶体材料的性质和行为具有重要影响。晶体缺陷可以导致晶体结构的不完全和杂质扩散等，对晶体材料的性能产生明显影响。6. 晶体缺陷对材料性能的影响：晶体缺陷可以改变晶体材料的电学、热学、力学和光学性能等。例如，点缺陷对晶体的导电性、抗腐蚀性和力学强度等具有重要影响；线性缺陷对晶体的塑性变形和脆性断裂等表现出显著影响；表面缺陷对晶体的界面反应和光学特性等产生明显影响。7. 晶体缺陷的控制和应用：通过对晶体缺陷的控制可以优化晶体材料的性质和行为。例如，通过控制晶体生长和退火条件、控制晶体材料的杂质浓度和晶体生长方向等，可以改善材料的结晶质量和性能。晶体缺陷控制技术在材料工程领域中具有广泛应用，例如，增强材料、半导体器件和光学器件等。8. 晶格缺陷的表征与表征技术：表征晶体缺陷可以利用X射线衍射、电子衍射、透射电子显微镜、扫描电子显微镜等材料表征技术。通过这些技术可以确定晶体结构和缺陷类型，并获得晶体缺陷的数量、尺寸和分布等信息。9. 晶格缺陷的模拟与计算：通过计算机模拟和计算方法可以预测和研究晶体缺陷的形成和演化过程。通过计算晶体的能量、力学和电学性质等参数，可以获得晶格缺陷的热稳定性和响应性等关键信息，为晶体材料的设计和优化提供指导。总结：本章主要介绍了晶体结构和晶体缺陷的基本概念、分类、描述方法，讨论了晶格缺陷的形成机制和影响，以及晶体缺陷对材料性能的影响和控制方法。此外，还介绍了晶体缺陷的表征技术和模拟计算方法。了解晶体结构和晶体缺陷对于理解材料的性质和行为具有重要意义，为材料的设计和应用提供了基础。