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本发明关于半导体存储装置及半导体存储装置的制造方法。本发明的半导体存储装置具备：第1积层体，隔着第1绝缘层积层着多个导电层，具有上层的多个导电层的端部呈台阶状的第1台阶部、及下层的多个导电层的端部呈台阶状的第2台阶部；第2积层体，在衬底的上方隔着与第1绝缘层同种的第3绝缘层积层多个第2绝缘层，具有位于与构成第1台阶部的导电层相同的层的多个第2绝缘层的端部呈台阶状的第3台阶部；第1柱状部，配置在第1台阶部的第1阶，从第1阶贯通第1积层体；及第2柱状部，配置在第2台阶部的第2阶，从第2阶贯通第1积层
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111725230 A
(43)申请公布日
2020.09.29
(21)申请号 20191
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