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本发明涉及一种半导体器件的制造方法，包括：提供第一晶圆，第一晶圆上暴露有第一导电层；在第一晶圆以及第一导电层上形成第一氧化层；在第一氧化层中形成一体成型的第一互联通道和第一虚拟通道，其中，第一互联通道沿垂直于所述第一导电层的方向上的宽度实质相同，第一互联通道与第一导电层接触，且第一虚拟通道的高度小于第一互联通道的高度，使得第一虚拟通道与第一导电层间隔；提供第二晶圆，第二晶圆的结构与第一晶圆相似，其中形成第二互联通道和第二虚拟通道；以及键合第一晶圆和第二晶圆，使第一互联通道和第二互联通道相互接触从
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 111383992 A
(43)申请公布日
2020.07.07
(21)申请号 20201
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