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- 2023-07-29 发布于四川
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本发明公开了一种基于LIF神经元的WTA电路。包括:膜电位积累电路、波形整形电路,泄露电路、脉冲产生电路、不应期电路、双重开关电路、逻辑门电路。本发明的忆阻LIF神经元通过忆阻器的阻值变化和MOS管的开关特性实现激发尖峰脉冲宽度、峰值电位大小和不应期时长可调控。本发明通过双重开关电路、逻辑门电路控制忆阻LIF神经元,实现WTA机制,能有效的提高时间编码信息的高速性和准确性,提高神经系统的噪声鲁棒性和稳定性,在面对庞大数量神经元激发的竞争中效果更好。并且本发明的忆阻LIF神经元电路及其WTA电路所
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116502687 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310521064.5
(22)申请日 2023.05.10
(71)申请人 湘潭大学
地址 411100
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