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降低集成电路中无源器件损耗的结构及方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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降低集成电路中无源器件损耗的结构及方法.pdf

    本发明公开了一种降低集成电路中无源器件损耗的结构及方法。所述降低集成电路中无源器件损耗的结构包括叠层设置的P型衬底和P型外延层，以及设置在所述P型外延层上的至少一有源器件结构、至少一无源器件结构和场氧化层；以及，所述P型外延层内还设置有至少一P型局部掺杂区，所述P型局部掺杂区对应设置在至少一所述无源器件结构与P型衬底之间，其中，所述P型局部掺杂区是通过对P型外延层的局部区域掺入N型杂质和P型杂质后形成的。本发明实施例提供的一种降低集成电路中无源器件损耗的结构及方法，降低了无源器件结构与衬底之间的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504780 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202210839018.5 (22)申请日 2022.07.19 (71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司 地址

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