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本实用新型涉及半导体技术领域，更具体地，涉及一种亚微米异质结构的薄膜晶体管，包括有衬底及与衬底连接的栅极，衬底及栅极连接绝缘层，绝缘层连接有源层，有源层连接源漏极金属层，其中，有源层为亚微米间隙层覆盖材料后形成的周期性异质结构。本实用新型的晶体管通过栅极调控，可以增大晶体管的开电流，降低晶体管的关电流，提高晶体管性能。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209929315 U
(45)授权公告日
2020.01.10
(21)申请号 20192
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