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2023-07-29 发布于四川
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热退火方法.pdf

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本申请涉及半导体集成电路制造技术领域，具体涉及一种热退火方法。所述热退火方法包括以下步骤：向炉管的工作腔中输送待进行热退火处理的晶舟，所述晶舟中包括原硅片和半导体器件，所述原硅片的表面形成致密的氧化硅层；向所述工作腔中通入氮气，并加热所述工作腔以对所述晶舟中的原硅片和半导体器件进行热退火处理。本申请通过形成致密的氧化硅层，以防止原硅片中的硅被反应形成气态的氧化硅，从而能够避免在后续炉管降温过程中气态的氧化硅转化为固态氧化硅，并掉落在半导体器件表面的问题。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504627 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310593603.6 (22)申请日 2023.05.24 (71)申请人华虹半导体（无锡）有限公司地址