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本文描述了用于以使蚀刻滞后效应最小化的方式蚀刻层，例如介电层，并且更具体地是低k介电层的基底处理技术。利用了多种蚀刻工艺。第一蚀刻工艺可以表现出蚀刻滞后。第二蚀刻工艺是可以包括沉积子步骤、吹扫子步骤和蚀刻子步骤的多步过程。第二蚀刻工艺可以表现出反向蚀刻滞后。第二蚀刻工艺可以是执行复数次沉积、吹扫和蚀刻子步骤的循环过程。第二蚀刻工艺可以是基于原子层蚀刻的工艺，并且更具体地是准原子层蚀刻。在蚀刻介电层时，第一蚀刻工艺和第二蚀刻工艺的组合可以提供期望的整体蚀刻滞后的净效应。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 110731005 A
(43)申请公布日
2020.01.24
(21)申请号 20188
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