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LDMOSFET器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-29 发布于四川
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LDMOSFET器件及其制作方法.pdf

    本发明提供了一种LDMOSFET器件及其制作方法。该器件包括衬底，衬底的一侧具有外延层，外延层具有远离衬底的第一表面；源/漏区，形成于外延层中；体区，形成于外延层中靠近第一表面的一侧，体区与源/漏区的源区接触；漂移区，形成于外延层中并与体区接触，漂移区与源/漏区的漏区接触；埋入阱，形成在外延层中并分别与体区和漂移区接触，埋入阱与衬底连接，且埋入阱与体区的掺杂类型相同并与漂移区的掺杂类型相反。通过加入埋入阱，将碰撞电离产生的空穴电流引入埋入阱中，并通过埋入阱离开，从而减少了空穴电流通过体区的流通量

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504839 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202210642557.X (22)申请日 2022.06.08 (71)申请人 苏州华太电子技术股份有限公司 地址

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