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- 2023-07-29 发布于四川
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本发明公开一种电荷捕捉式非易失性存储器的存储单元。此存储单元形成于半导体基板的阱区上。此存储单元具有一存储晶体管。存储晶体管的栅极结构包括：第一隧穿层、第二隧穿层、捕捉层、阻挡层与栅极层。第一隧穿层接触于阱区的表面。第二隧穿层覆盖于第一隧穿层。捕捉层覆盖于第二隧穿层。阻挡层覆盖于捕捉层。栅极层覆盖于阻挡层。第二隧穿层中有渐变的氮分布。第二隧穿层中靠近第一隧穿层的第一区域的第一氮浓度低于第二隧穿层中靠近捕捉层的第二区域的第二氮浓度。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116507128 A
(43)申请公布日 2023.07.28
(21)申请号 202310026575.X
(22)申请日 2023.01.09
(30)优先权数据
63/303,539 2022
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