1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

半导体结构及其形成方法.pdfVIP

  • 1
  • 0
  • 约1.94万字
  • 约 17页
  • 2023-07-29 发布于四川
  • 举报

半导体结构及其形成方法.pdf

    本公开是关于半导体技术领域，涉及一种半导体结构及其形成方法，该形成方法包括：提供衬底，衬底包括待掺杂区；在衬底表面依次形成保护层、阻挡层以及光阻层；保护层的电子密度小于光阻层的电子密度，阻挡层的电子密度大于光阻层的电子密度；以保护层为蚀刻停止层对阻挡层和光阻层进行蚀刻，以形成露出保护层的表面的半导体图案，半导体图案在衬底上的正投影与待掺杂区至少部分重合；通过半导体图案对待掺杂区进行离子注入，以形成掺杂区。本公开的形成方法可降低半导体图案的形貌发生异常的概率，提高产品良率。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116504612 A (43)申请公布日 2023.07.28 (21)申请号 202310090782.1 (22)申请日 2023.02.09 (71)申请人 长鑫存储技术有限公司 地址 23

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >