高电压陶瓷电容器芯片.pdfVIP

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  • 2023-07-31 发布于四川
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本实用新型公开一种高电压陶瓷电容器芯片,包括陶瓷基体,所述陶瓷基体的上表面边沿内侧设有第一凹槽,所述第一凹槽的内侧围有第一丝印平面,所述第一凹槽的外围形成有第一外围平面,所述第一外围平面平行于第一丝印平面所在平面,所述第一丝印平面的表面通过丝网印刷有第一电极层;所述陶瓷基体的下表面边沿内侧设有第二凹槽,所述第二凹槽的内侧围有第二丝印平面,所述第二凹槽的外围形成有第二外围平面,所述第二外围平面平行于第二丝印平面所在平面,所述第二丝印平面的表面通过丝网印刷有第二电极层。本实用新型通过凹槽的定位,避免

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209947661 U (45)授权公告日 2020.01.14 (21)申请号 20192

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