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- 2023-07-31 发布于四川
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本实用新型涉及一种片上集成的环形霍尔角度传感器。其结构为由横截面为梯形的八个立体相接构成的正八边形环状柱体,每一横截面为梯形的立体均包括N阱层、位于N阱层两旁侧且与N阱层相接的两个P衬底层、设于N阱层上部的N+注入层、设于N阱层上部且位于N+注入层两旁的两个P+注入层、设于N阱层上表面且与N+注入层电性连接的N接触电极、设于N阱层上表面且与P+注入层电性连接的P接触电极、设于P衬底层上部的P阱层。本实用新型整个设计采用单传感器集成于芯片内部,减少了芯片的面积和工艺成本,在一定程度上降低了芯片功耗
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209945256 U
(45)授权公告日
2020.01.14
(21)申请号 20192
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