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低能电子能谱(LEED) Low Energy Electron Diffraction 1.1 引言1921年 Davisson 和Germer就研究了电子束在单晶表面的散射现象。并发现了电子的散射不是各向同性的。30年代后，人们开始了低能电子衍射方面的研究。50年代，随着超高真空技术的发展，人们识别到获得清洁表面对观察低能电子衍射图象的重要性，用LEED研究了Ti, Ge, Si, Ni, SiC等的表面原子排列，并开始研究气体在单晶表面的吸附现象。 从七十年代开始，开展了 LEED 强度特性的理论研究，并结合计算机模拟计算，对表面结构进行研究。 目前，人们已对一百多种表面结构进行了研究，得到许多表面吸附结构方面的新知识。 入射电子的能量通常为20~ 500 eV，对应的波长为0.3~0.05 nm。 低能电子衍射装置的原理示意图 1.2 低能电子衍射 晶体中的原子对能量在0~500 eV范围内的电子有很大的散射截面，入射电子在经受弹性或非弹性散射之前是不能进入晶体很深的。因此，背散射电子中绝大部分是被表面或近表面的原子散射回来的，这就使低能电子衍射成为研究表面结构的一个理想的手段。 正是由于晶体原子对低能电子散射的截面很大，使得电子在离开晶体前经受多次散射的几率很大，这种现象称为多重散射。由于多重散射的存在，使低能电子衍射结果的分析变得极为复杂。至今，还不能唯一地根据低能电子衍射数据决定晶体表面原子的排列，这方面的研究仍在继续进行之中。 一维衍射栅产生的散射圆锥 由于表面原子的散射截面很大，起散射作用的主要是表面第一层原子，作为近似，可按二维散射考虑。对于一维原子链，则相邻原子间的光程差等于波长的整数倍时，散射波发生衍射。对于垂直入射的电子，则衍射条件为：　　acos?h = h?，　h=0, ?1, ?2, …… ?表明衍射方向处在与轴线成?h的圆锥面上。 如果荧光屏位于电子枪的同一方，且是以衍射栅为球心的一个球面，则衍射圆锥和荧光屏的交线是一组直线，间距为r?/a，r是荧光屏的半径。 对于二维网格，设二维网格单元是长方形，x方向间距为a，y方向的间距为b。对垂直入射的情况，在x方向发生衍射的同时，在y方向上也有类似的衍射发生。因此，对二维衍射栅，荧光屏上显示出一组点 。 对于较复杂的二维晶格，衍射条件为：(s ? s0)·(pa + qb) = n? 若电子束垂直入射，则有?s·(pa + qb) = n? ?即 s·a = h?，s·b = k?。 在二维倒格子中，衍射方程为：(s ? s0)/ ?= Hhk+NN是垂直于倒易晶格的一个矢量。由衍射方程，可以利用反射图的概念确定衍射方向。 由二维倒易晶格和厄华德球确定的衍射方向 因为衍射方向决定于倒易晶格垂线与反射球的交点，若样品处于荧光屏的球心，则荧光屏上LEED图案是二维倒易晶格的投影。 当入射电子能量改变时，电子波长发生变化，LEED图案随之变化。当电子能量变化时，(00)位置是不变的，这个规律可以用来判断那个斑一点是(00)点， 并且可以判断原电子束是否垂直入射。 1.3 基本理论及应用 运动学理论：先考虑一维情况，设有M个原子，则相邻原子散射波的光程差为： ?＝-2?(s ? s0)·d/λ ＝-K·d ? K为散射矢量。 若第j个原子的散射波为： ?j = Acos[?t+?+j?] = Re[Aexpi(?t+?+j?)] 则合成的散射波为： 对于基矢为a, b，每个晶格内有N个原子的二维晶格，有：其中fn为网格内第n个原子的散射因子。 定义F为单元网格的结构因子，则总散射波的强度为：即K ? a = 2h?，K ? b = 2k?时，发生衍射极大。 结构因子F为： 将引起衍射光点的强弱不同，甚至消光。 吸附表面的LEED图案： 单晶表面吸附气体时，LEED图案将随之变化。改变后的衍射图案反映了吸附原子的排列规律。吸附表面的衍射图案和原单晶面的衍射图案有一定的几何关系。 W(100)面吸氧前后的衍射图案及可能的吸附原子在表面的排列。根据这一结果，可以推测氧在W(100)面的排列可能是W(100)(2?2)-O。 对于复杂的情况，吸附面的原子排列可能有多种形式，因为吸附面衍射图只说明吸附原子的单元网格的形状和大小，并不能给出具体的原子位置。 Cu(210)面吸氧前后的LEED图及可能的原子排列 W(100)面吸氢前后的LEED图及可能的原子排列。由此可以推出其表面结构为W(100)( )R45o-H。 可以用代数矩阵方法从吸附原子排列求衍射图，也可从衍射图求吸附表面结构。 设Ms为描述吸附表面结构的矩阵，Ms*为描述吸附前后