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- 2023-07-31 发布于四川
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本公开内容总体上涉及用于控制在基板边缘附近的等离子体鞘层的设备和方法。所述设备涉及处理腔室和/或基板支撑件,所述处理腔室和/或所述基板支撑件包括具有边缘环电极的边缘环组件和具有夹持电极的静电吸盘。所述边缘环组件定位为与所述静电吸盘相邻,诸如边缘环组件定位在所述静电吸盘的外部或周围。所述边缘环组件包括基部和定位在所述基部上方的帽,其中所述边缘环电极定位在所述帽与所述基部之间。所述边缘环电极的所述基部可以包括内凹槽和/或外凹槽,其中所述帽包括延伸到所述内凹槽和/或所述外凹槽中的一个或多个唇缘。一个或
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 209947792 U
(45)授权公告日
2020.01.14
(21)申请号 20192
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