EJ_T 1242-2017晶闸管辐射工艺技术要求.pdf

ICS27.120.99F 50备案号：61707-2018EJ中华人民共和国核行业标准EJ/T1242—2017晶闸管辐射工艺技术要求Technical requirement for thyristor radiation proces布2018-04-01实施工业和信息化部发布 EJ/T 1242—2017目次II范围规范性引用文件3术语和定义，一般要求.2辐射工艺辐射后的管理附录A（资料性附录）晶闸管分档示例， EJ/T本标准按照GB/T1.1—2009给出的规则起草，本标准由中国核工业集团公司提出，本标准由核工业标准化研究所归口。本标准起草单位：中广核中科海维科技发展有限公司、株洲中车时代电气股份有限公司，本标准主要起草人：徐华、刘混海、饶伟、颜骥、薛新兵，11 EJ/T 1242—2017晶闸管辐射工艺技术要求1范围本标准规定了晶闸管电子束辐射、测试、退火等工艺要求，2规范性引用文件下列文件对于本文件的应用是必不可少的。凡是注日期的引用文件，仅注日期的版本适用于本文件。凡是不注日期的引用文件，其最新版本（包括所有的修改单）适用于本文件。GB/T 15053使用辐射显色薄膜和聚甲基丙烯酸甲酯剂量测量系统测量吸收剂量的标准方法GB/T25306辐射加工用电子加速器工程通用规范JJF 1018使用重铬酸钾（银）剂量计测量射线水吸收剂量标准方法JJF 1028使用重铬酸银剂量计测量射线水吸收剂量标准方法3术语和定义下列术语和定义适用于本文件。3. 1品闸管thyristor一种双稳态半导体器件，它具有三个或更多的结并能从断态切换至通态，反之也一样。3. 2载流子chargecarrier半导体内的传导电子、空穴或离子，3. 3少子（少数载流子）minority carrier浓度低于载流子总浓度一半的载流子。3. 4少子寿命lifetime of minority carriers在均匀半导体的体内，过剩少数载流子浓度因复合面减少到其初始值的1/e时所需要的时间，单位为S。 EJ/T 1242—20173. 5 初始少子寿命initial lifetime of minority carrier电子束辐射前晶闸管的少子寿命，单位为S，3. 6期望少子寿命expected lifetime of minority carrier品闸管经电子束辐射后、退火处理前达到的少子寿命，单位为S。3. 7热稳定性退火thermal stability annealing电子束辐射后，品闸管通过高温固化少子寿命的方法。3. 8消除退火eliminating annealing电子束辐射后，品闸管通过高温消除电子辐射对少子寿命影响的方法。3. 9电子加速器装置electron accelerator facility产生、加速、引出电子束流用于辐射加工的装置，3. 10吸收剂量absorbed dose单位质量物质受辐照后吸收辐射的能量，单位为Gy3. 11剂量不均匀度dose uniformity ratio品闸管的最大吸收剂量与最小吸收剂量之比。4一般要求4. 1电子加速器装置要求品闸管辐射用电子加速器装置的束流能量、束流强度、扫描不均匀度、束下传输速度等应满足GB/T25306的规定。4. 2晶闸管电子束辐射要求4, 2. 1电子束流能量范图：8MeV~12MeV。4, 2. 2剂量不均匀度应小于1.2。4. 2. 3装载模式：品闸管正面向上，单层放置在束下传输装置上。 EJ/T 124220174.3测量仪器、方法及环境要求4.3.1少子寿命测试环境要求少子寿命测试环境应满足：a)环境温度：23C～27C;环境湿度：≤85%RH。4.3.2少子寿命测试仪器采用少子寿命辅助测试仪测试少子寿命，仪器的测量范围为0.1LS～99JS。少子寿命辅助测试仪应定期检定/校准。4.3.3剂量计检定/校准所使用剂量计应满足GB/T15053、JJF1018或JJF1028的要求，并定期检定/校准。4, 4操作要求工作人员在接触晶闻管时应佩防静电手套。5辐射工艺5. 1工艺流程图晶闸管辐射工艺流程见图1，FRPA图1工艺流程图 EJ/T 1242—20175.2工艺流程5.2.1晶闸管分档测试品闸管初始少子寿命，根据不同的初始少子寿命进行分档，并设定期望少子寿命，参见附录A。5.2.2剂量确定采用二分法来确定刻量。即选取适量样片确定一个剂量区闻[a，b]，取这个剂量区间中间值c进行辐射，辐射后测试少子寿命，若少子寿命大于期望少子寿命则选取区间[c，b]的中间值进行辐射，若少子寿命小于期望少子寿命则选取区间[a，c]的中间值进行辐射。重复以上步骤，直到选取的剂量使测量的少子寿命等于期望少子寿命即为辐射