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提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用.pdf

    本发明公开了一种提高p型III族氮化物材料空穴浓度的方法及其应用。所述的方法包括：在p型III族氮化物材料生长过程中和/或生长完成后，使所述p型III族氮化物材料与卤素基活性原子和/或卤素基活性基团接触反应，以移除所述p型III族氮化物材料中的部分III族原子，从而在所述p型III族氮化物材料中产生阳离子空位；以及激活包含有所述阳离子空位的p型III族氮化物材料中的受主杂质。本发明提供的一种提高AlGaN半导体材料空穴浓度的方法，突破了传统p型AlGaN材料面临的受主型Mg原子并入效率低、自补偿

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525725 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202210066098.5 H01S 5/042 (2006.01) (22)申请日 2022.01.

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