一种SGT型MOSFET的制造方法.pdfVIP

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2023-08-02 发布于四川
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一种SGT型MOSFET的制造方法.pdf

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本发明公开一种SGT型MOSFET的制造方法，属于半导体功率器件领域。本发明针对SGT性栅源两层多晶采用上下结构的组合方式，SGT型MOSFET器件主要分为两个部分，上半部分为场氧和源极多晶的形成；下半部分为栅氧化层和栅多晶。这两个部分需要用氧化层进行隔离。本发明的方法利用氮化硅侧墙效应，打开源极多晶顶部实现氧化隔离，有效降低导通电阻和栅漏电容，提升器件产品的性能，并且降低工艺成本和工艺难度，制造出高性能SGT型MOSFET产品。

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116525454 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202310688194.8 H01L 29/41 (2006.01) (22)申请日 2023.06.