原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明揭示了一种用于晶圆腐蚀工艺的金属掩膜制备方法，包括如下步骤：S1、设计并制作带有晶圆腐蚀图形的光刻版；S2、采用步骤S1中的光刻版，利用光刻胶在所需晶圆上进行光刻，形成光刻胶图形；S3、利用物理气相沉积方法在光刻后的晶圆表面沉积种子层；S4、剥离多余的种子层和去胶，形成带有图形化种子层的晶圆；S5、对步骤S4形成的带有图形化种子层的晶圆进行电化学沉积金属掩膜，金属掩膜结构将在晶圆表面暴露种子层的位置生长，并最终形成所设计的金属掩膜。本发明优化原有电化学沉积金属掩膜流程，即不再在沉积后通过腐
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116525433 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310179334.9
(22)申请日 2023.02.28
(71)申请人 苏州苏纳光电有限公司
地址 21
文档评论（0）