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本发明公开了一种腐蚀法制备高强度锗的方法，属于半导体技术领域，所述的腐蚀法制备高强度锗的方法，包括以下步骤：将锗片浸入酸性腐蚀液中进行酸腐蚀，清洗，干燥，再浸入碱性腐蚀液中进行碱腐蚀，干燥，得到高强度锗；所述酸性腐蚀液包括硝酸溶液、氢氟酸溶液、乙酸；所述碱性腐蚀液包括氨水溶液、过氧化氢溶液。本发明通过将锗片先进行酸腐蚀，再进行碱腐蚀，能够有效的提高锗片的强度，其中，酸腐蚀为非择优腐蚀，碱腐蚀为择优腐蚀，采用先酸后碱的腐蚀方法，其中，酸腐蚀能够有效的去除锗片表面杂质和疏松层，碱腐蚀能够有效的去除锗
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116516492 A
(43)申请公布日 2023.08.01
(21)申请号 202310411082.8
(22)申请日 2023.04.18
(71)申请人 广东先导微电子科
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