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提高多元系III族氮化物基半导体材料晶体质量的方法.pdfVIP

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  • 2023-08-02 发布于四川
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提高多元系III族氮化物基半导体材料晶体质量的方法.pdf

    本发明公开了一种提高多元系III族氮化物基半导体材料晶体质量的方法。所述方法包括先生长一层刻蚀准备层，以卤素基源对所述刻蚀准备层进行原位刻蚀，以在所述刻蚀准备层表面的位错区域形成刻蚀坑；在所述刻蚀准备层表面进行合并层的生长，并至少使所述刻蚀坑的部分被所述合并层合并，其中，所述刻蚀准备层和合并层的材质相同，且均为多元系III族氮化物。本发明实施例提出的方法通过控制反应室温度等条件，可以实现位错周围区域优先刻蚀、平面区域几乎不刻蚀，从而对AlGaN等多元系III族氮化物基半导体材料高效率、选择性刻蚀

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116516487 A (43)申请公布日 2023.08.01 (21)申请号 202210066100.9 (22)申请日 2022.01.20 (71)申请人 中国科学院苏州纳

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