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利用薄型隧道氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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利用薄型隧道氧化物形成分裂栅极存储器单元的方法.pdf

    一种形成存储器器件的方法包括在半导体衬底的存储器单元区上形成浮动栅极，该浮动栅极具有终止于边缘中的上表面。形成氧化物层，该氧化物层具有分别沿着衬底表面的逻辑区域和存储器单元区域延伸的第一部分和第二部分，以及沿着该浮动栅极边缘延伸的第三部分。形成非共形层，该非共形层具有分别覆盖该氧化物层第一部分、第二部分和第三部分的第一部分、第二部分和第三部分。蚀刻去除该非共形层第三部分，并且减薄但不完全移除非共形层第一部分和第二部分。蚀刻减小氧化物层第三部分的厚度。在移除非共形层第一部分和第二部分之后，在氧化物

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115039224 A (43)申请公布日 2022.09.09 (21)申请号 202080095449.4 B ·维拉德　N ·多　 (22)申请日 2020.08.04

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