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本发明涉及一种多层膜自由几何超表面元件及制备方法,该元件包括SiO2衬底、高反膜、间隔层和顶部超表面;其中,所述高反膜为HfO2/SiO2多层膜,所述间隔层为HfO2薄膜,所述顶部超表面为周期性HfO2微结构;所述元件的几何形状为依据伴随拓扑优化过程而决定;所述制备过程包括:首先通过伴随拓扑优化算法优化获得多层膜自由几何超表面设计,再利用电子束蒸发离子束辅助、电子束曝光、原子层沉积、反应离子刻蚀技术实际制作。与现有技术相比,本发明具有更强的电磁调控能力和非偏振宽带高效率的优点,仅需1套系统即可实
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 114967161 A
(43)申请公布日 2022.08.30
(21)申请号 202210476458.9
(22)申请日 2022.04.29
(71)申请人 同济大学
地址 2000
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