半导体结构.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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本实用新型涉及半导体制造技术领域,尤其涉及一种半导体结构。所述半导体结构包括:衬底,所述衬底上具有介质层以及贯穿所述介质层的接触窗口;节点接触层,位于所述接触窗口内,所述节点接触层的顶部具有凹陷;接触插塞,与所述节点接触层连接。本实用新型减小了节点接触层与接触插塞之间的接触电阻,改善了半导体结构的性能以及产品良率。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 209993595 U (45)授权公告日 2020.01.24 (21)申请号 20192

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