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一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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一种具有内部集成温度保护装置的Mosfet半导体器件.pdf

    本实用新型涉及一种集成温度保护装置的Mosfet半导体器件，将温度保护装置集成到Mosfet半导体器件内部，实现最高灵敏度的感知Mosfet半导体器件的温度变化，温度保护装置与Mosfet两者之间进行有效隔离，不产生漏电通路。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210006735 U (45)授权公告日 2020.01.31 (21)申请号 20192

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