晶体生长的加热装置.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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本实用新型涉及一种晶体生长的加热装置,该装置包括一坩埚和包覆坩埚的保温材料,所述坩埚部分或者完全包覆于保温材料内,所述保温材料由上至下的热导率逐渐增加。本晶体生长的加热装置所制备得到的晶体无开裂、气泡、夹杂、散射等缺陷,达到了良好的长晶效果。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 210001960 U (45)授权公告日 2020.01.31 (21)申请号 20192

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