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一种有机场效应晶体管及其制备方法.pdfVIP

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  • 2023-08-05 发布于四川
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一种有机场效应晶体管及其制备方法.pdf

    本发明提供一种有机场效应晶体管及其制备方法，所述的有机场效应晶体管依次包括第一导电层、有机半导体层、绝缘层、第二导电层；所述的第一导电层由功函数4.5eV以上的导电材料构成；所述的有机半导体层由p型有机半导体单晶构成；所述的绝缘层由绝缘材料构成；所述的第二导电层由电导率大于1S/m的材料构成；所述的有机场效应晶体管同时满足：空穴迁移率μp≥0.5cm2V‑1s‑1，电子迁移率μn≥0.5cm2V‑1s‑1，且满足平衡系数B≤1，所述平衡系数B的计算公式为：B＝|lg(μp/μn)|，所述的有机场

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116546826 A (43)申请公布日 2023.08.04 (21)申请号 202310584432.0 (22)申请日 2023.05.23 (71)申请人 南京大学

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